インフラ・防災・安全
ブース番号S-003
- 大学等シーズ展示
- プロトタイプ（研究室）
- 技術移転
- 共同研究開発
パワー半導体の「予防工学」を拓くオペランド観測
Operando Observation: Pioneering Preventive Engineering for Power Semiconductors
キーワード：
- #電位補償した微分容量検出によるパワー半導体動作時のナノスケール解析装置
千葉工業大学 工学部 電気電子工学科
准教授林 真一郎
Chiba Institute of Technology
Associate ProfessorShiichirou Hayashi
共同研究者
- 千葉工業大学 工学部 宇宙・半導体工学科 教授 佐藤 宣夫
技術概要
パワー半導体デバイスは電気自動車やデータセンターに不可欠ですが、長期使用による劣化が故障原因の約33%を占めます。本技術は、動作中のデバイス内部を形状・電位・微分容量・欠陥箇所・電流経路の5種類の情報で同時に可視化する多機能走査型プローブ顕微鏡です。従来技術では市販デバイスの動作状態観測が困難でしたが、本技術は内部構造や材料に依存せず幅広い対象を観測できます。観測データとシミュレーションを組み合わせ、劣化予防のためのソフトスイッチング回路設計論の確立を目指します。
想定される活用事例
本技術は、パワー半導体デバイスの製造プロセス管理、出荷前検査、故障解析に活用できます。電気自動車、鉄道車両、データセンターなどの電源回路設計において、デバイス劣化を予測した安全設計が可能になります。世界のパワー半導体市場は年率8%以上で成長しており、本技術による信頼性向上は機器の長寿命化・省エネルギー化を通じて、持続可能な社会の実現に貢献します。
特許情報
- 出願ステージ
- 出願中（公開前）
企業へのメッセージ
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お問い合わせ先
教学センター 研究支援担当
TEL: 047-478-0325
