技術概要

本技術は光硬化性樹脂に光ファイバ等の出力開口から光照射することで成長形成する「自己形成導波路」を基盤技術とし、これをレーザー共振器のもとで実施するものです。「レーザーの原理」を応用して光接続対象箇所を挟み込むように共振器を形成することで、光軸が大きくずれているときはレーザー発振が起こらないため導波路が成長せず、光軸が合うと発振して導波路成長が自動的に始まるという自己制御型の接続を実現します。これにより、従来の接続で時間とコストを要していたアクティブアライメント工程を廃することを目標とします。

想定される活用事例

本技術は光ファイバ間の接続や、シリコンフォトニクスなどの微小半導体光デバイスの実装への活用を目指しています。特に、シリコンフォトニクスデバイスはデータセンター内の超高速通信や昨今話題の光電融合に用いられていますが、光ファイバとの接続のコスト高が問題視されています。本研究はその問題の解決に貢献できるものと考えられます。

特許情報

企業へのメッセージ

本研究シーズは光ファイバや光導波路などの導波系光学素子の接続を簡単化させる技術です。近年話題の光電融合向けコ・パッケージドオプティクスやシリコンフォトニクス光トランシーバで問題視されるパッケージングコストの低価格化への貢献を期待しております。

お問い合わせ先

社会共創促進センター

E-mail: uu.cpsc@a.utsunomiya-u.ac.jp