技術概要

半導体ICやMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）に代表されるシリコンデバイスは，現代社会を支えるキーデバイスです．性能や信頼性の向上にはデバイスの構成材料であるシリコンの機械物性を最大限活用することが求められますが，例えばその破壊強度はプロセス時に導入された表面欠陥で受動的に決まります．本研究では，電子線照射でシリコン酸化被膜内部を局所還元してできるシリコンナノドットを活用し，シリコンデバイスの機械信頼性を向上させる技術を提案します．

想定される活用事例

高強度・長寿命，かつ，高感度なシリコンセンサデバイスへの活用が期待されます．また，電子線照射により様々な酸化物の内部に還元ナノドットを形成できれば，例えば光学・医療分野への展開も期待できます．電子顕微鏡内でしか捉えることができないナノ材料の物性変化を巧みに活用し，新たな産業応用を目指します．

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特許情報

企業へのメッセージ

シリコンデバイスに電子線を照射することで、シリコンデバイスの強度を「受動的」に決まるものから「能動的」にデザインするものへ変革する、新しい「電子線照射によるシリコンナノドットエンジニアリング」技術を提案します。

お問い合わせ先

研究連携センター

E-mail: liaison@kuas.ac.jp