カーボンニュートラル・環境
ブース番号C-045
- 大学等シーズ展示
- 要素技術原理検証
- 技術移転
- 共同研究開発
熱処理不要で完全室温の薄膜トランジスタ製造技術
Heat-Treatment-Free Fabrication of Thin-Film Transistors with Zero Unintentional Heating
キーワード：
- #酸化物半導体
- #薄膜トランジスタ
- #完全室温プロセス
- #紫外線照射
工学院大学 工学部 電気電子工学科
教授相川 慎也
Kogakuin University
ProfessorShinya Aikawa
技術概要
TFT製造プロセスを常温化で実現 →高温加熱炉・オゾン処理が不要だから、設備投資とランニングコストを大幅に削減できる →基材に耐熱性が不要だから、基材選択の自由度が大幅に向上しフレキシブル基板にも対応できる →高温プロセスが無いから製造時の消費電力削減、CO2削減になる
想定される活用事例
折りたたみスマホ、ウェアラブルデバイス、 フレキシブル太陽電池、 タッチパネル、各種ガスセンサ、ペーパーエレクトロニクス
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特許情報
- 出願ステージ
- 公開中
- 名称
- 薄膜トランジスタの製造方法
- 特許権者または出願人
- 学校法人工学院大学
- 発明者
- 相川慎也、山寺真理
- 基礎出願番号
- 特願2025-021797
- 基礎出願年月日（西暦）
- 2025年2月13日
- 出願ステージ
- 公開中
- 名称
- 薄膜トランジスタの製造方法
- 特許権者または出願人
- 学校法人工学院大学
- 発明者
- 相川慎也、山寺真理
- 基礎出願番号
- 特願2024-146809
- 基礎出願年月日（西暦）
- 2024年8月28日
企業へのメッセージ
耐熱性の低いフレキシブル基板等素材の選択肢が広がり、半導体製造業界等で自由なデバイス設計に貢献できると考えます。酸化物TFTの低温作製に課題を持つ企業様と共同研究し、量産化などに向けた技術支援を通し、企業のESG/SDGs目標の達成に貢献します。
お問い合わせ先
研究企画課
E-mail: sangaku@sc.kogakuin.ac.jp
