技術概要

従来スパッタリングに比べて、薄膜へのイオン照射量が桁違いに大きい大電力パルススパッタリングを用いた機能性薄膜の低温結晶化促進技術について紹介します。例えば、酸化チタンは600℃以上でアナターゼ型からルチル型へ相転移しますが、本技術ではルチル型酸化チタン薄膜を基板温度300℃以下で実現できています。また、薄膜トランジスタ用酸化インジウム系薄膜を高膜密度・大結晶粒径化に成功し、非常に高いキャリヤ移動度を実現しています。金属酸化物材料の他に、金属窒化物材料、炭素を含む金属材料にも適用可能です。

想定される活用事例

従来のスパッタでは困難であった薄膜材料を低プロセス温度で結晶促進する技術になります。半導体材料やコーティング材料をはじめ各種スパッタ薄膜に適用可能であり（それ以外のトライアルも化）、部品メーカや装置メーカをはじめ多くの分野に応用できます。

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特許情報

企業へのメッセージ

スパッタを用いた機能性薄膜の成膜における低温プロセス化や結晶性向上の他、大気圧プラズマを用いた表面処理などのトライアルもご相談ください。

お問い合わせ先

学術研究支援センター

E-mail: uraonly@ccml.meijo-u.ac.jp